ホーム >磁気センサ >用語解説

1.すだれタイプ・垂直タイプAMRセンサ
AMRセンサの原理の頁で解説しています。 詳細へ>
2.等価回路
AMRセンサの等価回路を表します。抵抗の図柄は、
感磁面のエレメントの延伸方向を模写しています。

3.入力抵抗
無磁界中でのブリッジ(Vcc−GND間:2相ブリッジの場合は両端を並列結線したとき)
若しくは1素子当りの抵抗値を表します。
4.中点電位
無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時の
Vout(Vout+、Vout−)から出力される電圧を表します。
出力電圧は印加電圧に比例します。
5.中点電位差
無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時の
Vout((Vout+)−(Vout−)):中点電位の差を表します。
出力電圧は印加電圧に比例します。
6.出力電圧
一定条件下の磁界における中点電位の変化量を表します。
実使用下ではハーフブリッジの場合、出力電圧の2倍、フルブリッジでは4倍の振幅となります。
当社では印加電圧は5Vを基準にしています。
出力電圧は印加電圧に比例します。
7.ピーク トゥ・ピーク電圧
出力電圧の振幅の幅を表します。
ハーフブリッジの場合、出力電圧の2倍、
フルブリッジでは出力電圧の4倍となります。
8.抵抗温度特性
(RT2−RT1)/{RT1(T2−T1)}×100(%/℃)
RT1:T1(℃)における抵抗値(Ω)
RT2:T2(℃)における抵抗値(Ω)
9.中点電位温度ドリフト
表記方法の違いにより以下の2種類の方法で表記しています。

9-1.中点電位温度ドリフト
Vd:Vcc(V)におけるドリフト量(μV)

9-2.中点電位温度ドリフト (A)式にVcc=5V、T1、T2に各製品の動作周囲温度を代入したときのドリフト量
10.出力電圧温度特性
(VT2−VT1)/{VT1(T2−T1)}×100(%/℃)
VT1:T1(℃)における出力電圧(V)
VT2:T2(℃)における出力電圧(V)
11.磁界単位
磁界(H)1kA/m=12.5 Oe
大気中では透磁率(μ)が約1となりますので
B=μHより、磁束密度(B)との関係は、
1 Oe≒0.1mTとなります。
12.着磁ピッチ(λ)
多極着磁された磁石における、N極中心からS極中心までの距離を表します。
OEM|開発生産