センサ開発から高機能ユニット化まで、ソリューションをご提供いたします。

1.すだれタイプ・垂直タイプＡＭＲセンサ

AMRセンサの原理の頁で解説しています。　詳細へ>

2.等価回路

AMRセンサの等価回路を表します。抵抗の図柄は、
感磁面のエレメントの延伸方向を模写しています。

3.入力抵抗

無磁界中でのブリッジ（Vcc−GND間：2相ブリッジの場合は両端を並列結線したとき）
若しくは1素子当りの抵抗値を表します。

4.中点電位

無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時の
Vout（Vout＋、Vout−）から出力される電圧を表します。
出力電圧は印加電圧に比例します。

5.中点電位差

無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時の
Vout（（Vout＋）−（Vout−））：中点電位の差を表します。
出力電圧は印加電圧に比例します。

6.出力電圧

一定条件下の磁界における中点電位の変化量を表します。
実使用下ではハーフブリッジの場合、出力電圧の2倍、フルブリッジでは4倍の振幅となります。
当社では印加電圧は5Vを基準にしています。
出力電圧は印加電圧に比例します。

7.ピークトゥピーク電圧（mV）

出力電圧の振幅の幅を表します。
ハーフブリッジの場合、出力電圧の2倍、
フルブリッジでは出力電圧の4倍となります。

8.抵抗温度特性

（ＲT2−ＲT1）／｛ＲT1（Ｔ2−T1）｝×100（％/℃）
ＲT1：T1（℃）における抵抗値（Ω）
ＲT2：T2（℃）における抵抗値（Ω）

9．中点電位温度ドリフト

表記方法の違いにより以下の2種類の方法で表記しています。

9-1．中点電位温度ドリフト
Ｖd：Ｖcc（Ｖ）におけるドリフト量（μＶ）

9-2．中点電位温度ドリフト （A）式にVcc=5V、T1、T2に各製品の動作周囲温度を代入したときのドリフト量

10.出力電圧温度特性

（ＶＴ2−ＶＴ1）／｛ＶＴ1（T2−Ｔ1）｝×100（％/℃）
ＶＴ1：Ｔ1（℃）における出力電圧（Ｖ）
ＶＴ2：Ｔ2（℃）における出力電圧（Ｖ）

11.磁界単位

磁界（Ｈ）1ｋＡ／ｍ＝12.5 Oe
大気中では透磁率（μ）が約1となりますので
Ｂ＝μＨより、磁束密度（Ｂ）との関係は、
1 Oe≒0.1ｍTとなります。

12．着磁ピッチ（λ）

多極着磁された磁石における、N極中心からS極中心までの距離を表します。