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参考資料
1.すだれタイプ・垂直タイプAMRセンサ
AMRセンサの原理の頁で解説しています。
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2.等価回路
AMRセンサの等価回路を表します。抵抗の図柄は、
感磁面のエレメントの延伸方向を模写しています。
3.入力抵抗
無磁界中でのブリッジ(Vcc−GND間:2相ブリッジの場合は両端を並列結線したとき)
若しくは1素子当りの抵抗値を表します。
4.中点電位
無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時の
Vout(Vout+、Vout−)から出力される電圧を表します。
出力電圧は印加電圧に比例します。
5.中点電位差
無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時の
Vout((Vout+)−(Vout−)):中点電位の差を表します。
出力電圧は印加電圧に比例します。
6.出力電圧
一定条件下の磁界における中点電位の変化量を表します。
実使用下ではハーフブリッジの場合、出力電圧の2倍、フルブリッジでは4倍の振幅となります。
当社では印加電圧は5Vを基準にしています。
出力電圧は印加電圧に比例します。
7.ピークトゥピーク電圧(mV)
出力電圧の振幅の幅を表します。
ハーフブリッジの場合、出力電圧の2倍、
フルブリッジでは出力電圧の4倍となります。
8.抵抗温度特性
(RT2−RT1)/{RT1(T2−T1)}×100(%/℃)
RT1:T1(℃)における抵抗値(Ω)
RT2:T2(℃)における抵抗値(Ω)
9.中点電位温度ドリフト
表記方法の違いにより以下の2種類の方法で表記しています。
9-1.
中点電位温度ドリフト
Vd:Vcc(V)におけるドリフト量(μV)
9-2.
中点電位温度ドリフト
(A)式にVcc=5V、T1、T2に各製品の動作周囲温度を代入したときのドリフト量
10.出力電圧温度特性
(VT2−VT1)/{VT1(T2−T1)}×100(%/℃)
VT1:T1(℃)における出力電圧(V)
VT2:T2(℃)における出力電圧(V)
11.磁界単位
磁界(H)1kA/m=12.5 Oe
大気中では透磁率(μ)が約1となりますので
B=μHより、磁束密度(B)との関係は、
1 Oe≒0.1mTとなります。
12.着磁ピッチ(λ)
多極着磁された磁石における、N極中心からS極中心までの距離を表します。
対応マグネット
評価キット
専用IC
技術資料
用語解説
磁界単位
使用上の注意
AMRセンサの動作原理
すだれタイプAMRセンサの検出原理
垂直タイプAMRセンサの検出原理
応用回路例
AMRセンサ
圧力センサ
圧力センサモジュール
水位センサ
ギア付エンコーダ
AMR: 位置検出
AMR: 変位検出
AMR: 角度検出
AMR: リニア位置検出
AMR: 高分解能エンコーダ
AMR: 流量検出
圧力:事例
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浜松光電株式会社
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TEL(0538) 66-5611 / FAX(0538) 66-6127
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