図11に、【すだれタイプ】の基本パターンを示します。R1が最大の時、R2が最小となる位置は、図5で説明した着磁ピッチλで示すと、ちょうどλ／2離した位置になります。この位置に同一方向に延伸した強磁性薄膜金属のエレメントを配置し、直列に結線し、ハーフブリッジ回路を形成する事により、効率良く信号を取り出す事ができます。

この【すだれタイプ】AMRセンサを、図12のように検出対象物である多極磁石ロータやリニア多極磁石の着磁面に対向するように設置します。

設置に際し、磁石とセンサとの距離（ギャップ）については、注意が必要です。図13は、ギャップと出力電圧の関係を示しています。 図9のような歪みの少ない波形を必要とする場合、磁石とAMRセンサのギャップをある一定の範囲内にしなければなりません。図13Aのギャップ領域に配置した場合には、磁界強度が飽和感度領域に入る為、図10のように波形が歪みます。また、図13Bのギャップ領域においては、僅かなギャップ変化で出力電圧が大きく変化します。磁界強度は、距離の2乗で弱まる為、ギャップ変動が出力に大きく影響する事になります。

三角波と正弦波を比べた時、三角波の出力が正弦波の出力より小さい箇所にパターンを加え感度補強すれば、正弦波の波形に近づきます。3次高調波はλ／6、5次高調波はλ／10の位置にパターンを配置すると歪みが補正され、広いギャップで精度の良い出力波形を得ることができます。3次高調波対策パターンを図14に示します。

運動を制御する場合には、運動方向を知る必要があります。１つの信号では困難ですが、２つの信号を用いれば、可能となります。基本出力と1／4周期（90°）の位相差を持つ２つ目の出力と組み合わせることも有効な手段です。この出力を得る為には、図11のすだれ基本パターンの構成を2組、λ／4離して構成すれば、運動制御に必要な1／4周期の位相差を持った２出力が得られることになります。この位相出力タイプを図15に示します。2組のパターンは同一面に同時に形成されるため、位置誤差及び特性誤差を非常に小さくできる利点があります。

このようにエレメントを同一面上に自在に構成出来る点が、AMRセンサの最大の特長となります。この特長を、さらに生かせば、アブソリュート検出も可能となります。その例を図16で図解します。検出対象物である多極磁石に、2つの異なる着磁ピッチaλとbλを設けます。この異なる磁極を1つのAMRセンサで検出し、出力波形を処理することでアブソリュート検出が可能となります。着磁ピッチaλとbλ間では着磁しない部分（無着磁部）が必要となります。この間隔はλが0.5mm以下では0.5mm、λが0.5mmより大きい場合は、λと等しい距離が必要になります。