1.すだれタイプ・垂直タイプＡＭＲセンサ

技術資料：AMRセンサの動作原理の⾴で解説しています。

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2.等価回路

AMRセンサの等価回路を表します。抵抗の図柄は、感磁⾯のエレメントの延伸⽅向を模写しています。

3.⼊⼒抵抗

無磁界中でのブリッジ（Vcc−GND間：2相ブリッジの場合は両端を並列結線したとき）若しくは1素⼦当りの抵抗値を表します。

4.中点電位

無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時のVout（Vout＋、Vout−）から出⼒される電圧を表します。

5.中点電位差

無磁界中で、Vcc−GND間に電圧5Vを印加した時のVout＋とVout−の中点電位の差を表します。

6.出⼒電圧

⼀定条件下の磁界における中点電位の変化量を表します。
当社では印加電圧は5Vを基準にしています。出⼒電圧は印加電圧に⽐例します。

7.ピークトゥピーク電圧（mV）

出⼒電圧の振幅の幅を表します。位置検知・回転検知用AMRセンサに対して回転磁界を印加した場合・ハーフブリッジの場合は出⼒電圧の2倍、フルブリッジでは出⼒電圧の4倍となります。

8.抵抗温度特性

（ＲT2−ＲT1）∕｛ＲT1（T2−T1）｝×100（％/℃）

ＲT1：T1（℃）における抵抗値（Ω）

ＲT2：T2（℃）における抵抗値（Ω）

9．中点電位温度ドリフト

表記⽅法の違いにより以下の2種類の⽅法で表記しています。

9-1．

中点電位温度ドリフト

Vd：V cc（V）におけるドリフト量（μV）

9-2．

中点電位温度ドリフト

（A）式にVcc=5V、T1、T2に各製品の動作周囲温度を代⼊したときのドリフト量

10.出⼒電圧温度特性

（V T2−V T1）／｛V T1（T2 − T1）｝× 100（％/℃）

V T1：T1（℃）における出⼒電圧（Ｖ）

V T2：T2（℃）における出⼒電圧（Ｖ）

11.磁界単位

12．着磁ピッチ（λ）

多極着磁された磁⽯における、N極中⼼からS極中⼼までの距離を表します。